眾所周知，美國打壓中國的芯片產(chǎn)業(yè)，有著明顯的目標(biāo)，針對(duì)邏輯芯片、DRAM內(nèi)存，NAND存儲(chǔ)芯片這三種產(chǎn)品，有著明確的目標(biāo)：
采用16nm或14nm及以下非平面FinFET或GAAFET晶體管結(jié)構(gòu)的邏輯芯片；半間距小于等于18nm的DRAM存儲(chǔ)芯片；128層及以上的NAND閃存芯片。而生怕封鎖不到位，美國在今年，還聯(lián)手日本、荷蘭一起對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行限制。
之前日本的半導(dǎo)體設(shè)備出口限制已經(jīng)發(fā)布出來了，一共是23種半導(dǎo)體設(shè)備被列入了限制出口清單，7月23日起開始實(shí)施。
(資料圖片)
而近日，荷蘭的半導(dǎo)體設(shè)備出口限制也正式發(fā)布，該措施將于2023年9月1日正式生效。
那么問題來了，荷蘭的這個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備禁令，對(duì)我們的芯片產(chǎn)業(yè)影響有多大？
從荷蘭的新規(guī)則來看，管制的對(duì)象主要為先進(jìn)的芯片制造技術(shù)，包括先進(jìn)的沉積設(shè)備和浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)，而受限制的企業(yè)，主要是ASML和ASM International。
從具體的設(shè)備來看，用于EUV技術(shù)的所有設(shè)備、技術(shù)、材料，都是不能出口的，比如EUV光刻機(jī)，EUV光罩保護(hù)膜、EUV光罩保護(hù)膜生產(chǎn)設(shè)備。
而在光刻機(jī)上，波長(zhǎng)小于193nm的光刻機(jī)，是不允許出口的，也就是EUV光刻機(jī)是不行的。
而針對(duì)193nn的光刻機(jī)，則加了限制條件，如果能夠生產(chǎn)45nm或更小分辨率，且小于或等于1.50nm最大專用卡盤覆蓋值（DCO值）的光刻機(jī)，則不能出口。
浸潤(rùn)式光刻機(jī)，采用的是193nm光線，其中分辨率小于45nm，同時(shí)DCO值小于等于1.5nm的全部不能出口。
但其中其NXT1980系列，其分辨率為38納米左右，但是其DCO值是小于等于1.6nm，所以不受限制，能夠出口，與之前ASML說的一致，浸潤(rùn)式光刻機(jī)中，這一款能夠出口。
另外，還有用于金屬剝離的原子層沉積（ALD）設(shè)備、設(shè)計(jì)用于硅（Si）、碳摻雜硅、硅鍺（SiGe）或碳摻雜SiGe外延生長(zhǎng)的設(shè)備，以及一些先進(jìn)的設(shè)備、技術(shù)、軟件等，都被限制出口，如果需要購買這些設(shè)備/技術(shù)，需要許可證才行。
但總體來看，針對(duì)的還是14nm及以下的工藝，對(duì)于成熟工藝，并沒有太多的限制，與美國之前的目標(biāo)差不多，那就是以鎖死14nm工藝為基本目標(biāo)。
從美、日、荷三國的禁令來看，14nm及以下的設(shè)備，短時(shí)間之內(nèi)，我們是無法從國外買到了，只能靠自己，如果自主產(chǎn)業(yè)鏈不能突破，那么我們就會(huì)一直被困在14nm以上。
而這估計(jì)也是中芯之前官方下線14nm工藝介紹的原因，因?yàn)榇_實(shí)短時(shí)間來看，14nm工藝可能是一道坎，跨不過，所以暫時(shí)下線。
而14nm以上的設(shè)備，暫時(shí)還是不受限制的，我們可以從國外買到相關(guān)設(shè)備，所以在成熟工藝上，倒不需在太擔(dān)心。
可見，接下來，國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)在進(jìn)入先進(jìn)工藝方面，已經(jīng)沒有任何捷徑可走，放棄一切幻想，唯有不斷突破，實(shí)現(xiàn)全面的自主可控，一步一個(gè)腳印前進(jìn)才行了。
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